RAM永不丢失数据内存 火称未来内存的主流(2)

　　新一代内存的竞争者

　　传统DRAM内存使用的是电容材质进行数据的存储，必须隔一段时间刷新一次，所以无法实现数控的永久存储;而记忆电阻材质，则有可能成为其替代品。比如惠普正在研发的 “忆阻器内存”，可以使用离子氧化钽扩展或收缩电压，当电源关闭时，存储元件可以保持形态，数据不会丢失。目前，诸如松下、海力士、Rambus等多个厂商，都在使用不同的记忆电阻材质，来开发新型的RAM。目前记忆电阻内存的主要瓶颈在于速度，不过惠普表示随着技术的发展，记忆电阻的速度最终会达到目前DRAM的速度。

　　记忆电阻内存

　　其他厂商也在类似的产品，如IBM，正在研究相变类存储介质，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的，在加热和冷却时不会丢失数据;纳米RAM也是一种类似的原理，使用网状碳纳米管材质来替代传统电容内存。

　　IBM相变存储芯片

　　不过，由于技术成本的关系，目前惠普主推的忆阻器内存最有可能实现商用，但初期的价格仍会比较昂贵。显然，传统闪存和DRAM仍然会服役很长一段时间，但是在操作系统、存储介质不断发展的情况下，未来的电脑文件存储和应用都将发生巨大的改变。

　　相信未来这款产品能够改变PC，我们也期待这款产品的应用，未来的PC会是怎样的呢？让我们拭目以待。